Член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР
Родился в городе Черновцы, Украина.
Окончил радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (ГГУ, 1970 г.).
В 1970 – 1977 годах работал младшим научным сотрудником в Научно-исследовательском радиофизическом институте (НИРФИ, г. Горький).
В 1977 – 1993 годах работал в Институте прикладной физики Академии наук СССР (ИПФ АН СССР, затем – ИПФ РАН), где прошёл путь от младшего научного сотрудника до заместителя директора отделения физики твердого тела, заведующего отделом физики полупроводников.
С 1993 года – заместитель директора, заведующий отделом физики полупроводников Института физики микроструктур РАН, образованного в 1993 г. на базе Отделения физики твёрдого тела ИПФ РАН. Одновременно – заведующий филиалом кафедры электроники ГГУ/ННГУ в Институте прикладной физики (ИПФ) АН СССР/РАН (1989-2004), заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ в Институте физики микроструктур (ИФМ) РАН (с 2004).
Директор ИФМ РАН (2009-2015, 2016-2020).
Доктор физико-математических наук (1988). Профессор (1996). Член-корреспондент РАН (2016).
Автор более 300 работ, опубликованных в отечественных и зарубежных научных изданиях.
Лауреат Государственной премии СССР (1987) – за цикл работ «Инвертированные распределения горячих носителей заряда и генерация стимулированного излучения в полупроводниках в миллиметровом, субмиллиметровом и дальнем инфракрасном диапазонах» (1966-1985).
Заслуженный профессор Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского.
Проживает в Нижнем Новгороде.