В

Вергунас Фелициана Игнатьевна

15 (28) марта 1911 – 7 июня 1980 
Доктор физико-математических наук

Родилась в городе Томске, в семье железнодорожника. 
Окончила физико-механического отделение Томского государственного университета (ТГУ, 1931 г.). 
В 1931 – 1935 годах – аспирант по специальности “Физика твёрдого тела”. 
В 1932 году, в связи с включением Сибирского физико-технического института (СФТИ) в систему ТГУ, была переведена аспирантом в рентгеновскую лабораторию СФТИ. 

По окончании аспирантуры в 1935 году – старший научный сотрудник института.
В 1938 – 1956 годах – доцент, в 1956 – 1957 годах – заведующая кафедрой общей физики. 
Во время Великой Отечественной войны занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры.
Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. 

С 1946 года – заведующая лабораторией электронных явлений СФТИ.
Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами).
В начале 1950-х гг. под её руководством в СФТИ были начаты одни из первых в стране работы по изучению сульфида цинка.
Доктор физико-математических наук. Профессор (1957). 

В 1957 году прошла по конкурсу на должность профессора кафедры экспериментальной физики Горьковского государственного университета и переехала в город Горький. 
Читала курсы общей физики, а также специальные дисциплины: люминесценцию, электронные явления, теорию кристаллической решетки, радиоактивность и др., занималась исследовательской работой в области физики атомного ядра и люминесценции твёрдых тел. 
С мая 1958 года исполняла обязанности заведующей кафедрой экспериментальной физики.
Через полгода после кончины мужа, в июне 1963 года, переехала в Москву, где заведовала лабораторией организации п/я 2015 (ныне НИИ микроприборов, г. Зеленоград). 
Жила и похоронена в Москве. 

Награды: орден “Знак Почёта” (1953).
В